Problemstellung:
Ungewohntes Erscheinungsbild des Fotolacks und der Lackschicht
Belackungstechniken: Häufige Problemstellungen
Belichtungstechniken: Häufige Problemstellungen
Entwicklung: Zu geringe Entwicklungsrate
Entwicklung: Zu hoher Dunkelabtrag
Schlechte Lackhaftung
Zu geringe laterale Auflösung des Fotolacks
Bläschen oder Partikel in der Lackschicht nach dem Belacken
Bläschen in der Lackschicht nach dem Belichten
Bläschen in der Lackschicht nach Back- oder Prozessschritten
Nasschemisches Ätzen: Häufige Problemstellungen
Trockenätzen: Häufige Problemstellungen
Galvanik: Häufige Problemstellungen
Lift-off funktioniert nicht (gut genug)
Substrat-Angriff durch Fotochemikalien
Fotolack lässt sich nicht mehr entfernen
Vorkommen und Erscheinung:
Entwickler korrekt verdünnt?
Kompatibler Entwickler?
Optimaler Softbake?
Zersetzung des Fotoinitiators durch zu lange oder falsche Lagerung?
Bei Umkehr- oder Negativlacken?
Versehentliche Belichtung „dunkler“ Bereiche bei Positivlacken?
Nachentwicklung?
Lösungsvorschläge:

MicroChemicals GmbH
Nicolaus-Otto-Str. 39
89079 Ulm, Germany
www.MicroChemicals.de
info@MicroChemicals.de
Impressum / Datenschutz

 → Parameter für den Umkehrbackschritt
 → Parameter für den Post Exposure Bake bei Negativlacken
Bei Negativlacken quervernetzt der Post Exposure Bake (PEB) die belichteten Lackbereiche und macht diese so unlöslich im Entwickler. Die empfohlenen PEB-Parameter hängen vom jeweils verwendeten Negativlack ab, für die AZ® nLOF 2000 Lacke empfehlen wir einen Hotplate-Prozess bei 110 - 120°C für 1-2 Minuten.
Weiter führende Technische Infos:

 → Entwickeln von Fotolack
 → Lithografie-Forum Lithotalk